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参数资料
| 型号： | NTLJD3182FZTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJD3182FZ
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Maximum Instantaneous
Forward Voltage
Maximum Instantaneous
Reverse Current
Symbol
V F
I R
Test Conditions
I F = 100 mA
I F = 1.0 A
V R = 30 V
V R = 20 V
Min
Typ
0.34
0.47
17
3.0
Max
0.39
0.53
20
8.0
Unit
V
m A
V R = 10 V
2.0
4.5
Capacitance
C
V R = 5.0 V, f = 1.0 MHz
38
pF
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 85 ° C unless otherwise noted)
Parameter
Maximum Instantaneous
Forward Voltage
Maximum Instantaneous
Reverse Current
Symbol
V F
I R
Test Conditions
I F = 100 mA
I F = 1.0 A
V R = 30 V
V R = 20 V
Min
Typ
0.22
0.40
0.22
0.11
Max
0.35
0.50
2.5
1.6
Unit
V
mA
V R = 10 V
SCHOTTKY DIODE ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 125 ° C unless otherwise noted)
0.06
1.2
Parameter
Maximum Instantaneous
Forward Voltage
Maximum Instantaneous
Reverse Current
Symbol
V F
I R
Test Conditions
I F = 100 mA
I F = 1.0 A
V R = 30 V
V R = 20 V
Min
Typ
0.20
0.40
2.0
1.1
Max
0.29
0.47
20
10.9
Unit
V
mA
ORDERING INFORMATION
V R = 10 V
0.63
8.4
Device Order Number
NTLJD3182FZTAG
NTLJD3182FZTBG
Package Type
WDFN6
(Pb ? Free)
WDFN6
(Pb ? Free)
Tape & Reel Size?
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specification Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
3
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTLJD3183CZTAG | 功能描述:MOSFET 20V 4.1A UCOOL CMPLM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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