参数资料
型号: NTLJD3182FZTBG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
产品变化通告: Product Obsolescence 21/Jan/2010
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫欧 @ 2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 450pF @ 10V
功率 - 最大: 710mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-WDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 6-WDFN(2x2)
包装: 带卷 (TR)
NTLJD3182FZ
TYPICAL SCHOTTKY PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
10
10
1.0
T J = 85 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
1.0
T J = 85 ° C
T J = ? 55 ° C
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
0.1
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
V F , INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Typical Forward Voltage
1.0E+0
100E-3
10E-3
T J = 125 ° C
1.0E+0
100E-3
10E-3
V F , MAXIMUM FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
Figure 14. Maximum Forward Voltage
T J = 125 ° C
1.0E-3
100E-6
10E-6
1.0E-6
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
1.0E-3
100E-6
10E-6
1.0E-6
T J = 85 ° C
T J = 25 ° C
100E-9
0
10
20
30
100E-9
0
10
20
30
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 15. Typical Reverse Current
http://onsemi.com
7
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 16. Maximum Reverse Current
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PDF描述
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