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参数资料
| 型号： | NTLJD3182FZTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 100 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 450pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 710mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJD3182FZ
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1000
100
D = 0.5
0.2
0.1
*See Note 2 on Page 1
10
0.05
0.02
P (pk)
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
1 0.01
0.1
0.000001
SINGLE PULSE
0.00001 0.0001
0.001
0.01
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
0.1 1
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T A = P (pk) R q JA (t)
10 100
1000
t, TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLJD3183CZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 20 V/−20 V, 4.7 A/−4.0 A, μCool? Complementary, 2x2 mm, WDFN Package |
| NTLJD3183CZTAG | 功能描述:MOSFET 20V 4.1A UCOOL CMPLM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJD3183CZTBG | 功能描述:MOSFET 20V 4.1A UCOOL CMPLM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJD4114N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
| NTLJD4116N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET |
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