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参数资料
| 型号： | NTLJS1102PTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 6.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 720mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1585pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJS1102P
MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
SWITCHING CHARACTERISTICS, V GS = 4.5 V (Note 6)
Turn ? On Delay Time
t D(ON)
8.0
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
t r
t d(OFF)
t f
V GS = ? 4.5 V, V DS = ? 4 V,
I D = ? 8.1 A, R G = 1 W
19
78
50
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
Reverse Recovery Time
V SD
t RR
V GS = 0 V,
I S = ? 1.0 A
T J = 25 ° C
T J = 85 ° C
? 0.6
? 0.58
55
? 1.0
85
V
ns
Charge Time
Discharge Time
t a
t b
V GS = 0 V, d ISD /d t = 100 A/ m s,
I S = ? 1.0 A
18
37
Reverse Recovery Charge
Q RR
39
nC
5. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures
ORDERING INFORMATION
Device
NTLJS1102PTBG
NTLJS1102PTAG
Package
WDFN6
(Pb ? Free)
WDFN6
(Pb ? Free)
Shipping ?
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
3
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