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参数资料
| 型号： | NTLJS1102PTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 6.2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 720mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1585pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJS1102P
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
V GS = ? 6 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
100 m s
10
1 ms
1
10 ms
0.1
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
1
dc
10
100
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
R q JA = 65 ° C/W
0.1
0.05
0.01
Single Pulse
1E ? 04 1E ? 03
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
t, TIME (s)
Figure 14. FET Thermal Response
http://onsemi.com
6
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PDF描述 |
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