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参数资料
| 型号： | NTLJS2103PTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 800mV @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1157pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJS2103P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
100
10
1 ms
10 ms
1
V GS = ? 8 V
SINGLE PULSE
0.1 T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
Package Limit
dc
0.01
Thermal Limit
0.1 1 10
100
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
P (pk)
0.05
t 1
t 2
Test Type = 1 sq in 2 oz
R q JA = 1 sq in 2 oz
0.01
0.0001
0.001
Single Pulse
0.01
0.1
1
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
10
100
1000
PULSE TIME (s)
Figure 14. FET Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTLJS3113P | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −20 V, −7.7 A, uCool TM Single 2x2 mm, WDFN Package |
| NTLJS3113P_06 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET −20 V, −7.7 A, uCool TM Single 2x2 mm, WDFN Package |
| NTLJS3113PT1G | 功能描述:MOSFET PFET 2X2 20V 9.5A 42MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLJS3113PTAG | 功能描述:MOSFET PFET 20V 9.5A 42MOHM 2X2 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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