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参数资料
| 型号： | NTLJS3113PTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN |
| 产品变化通告： | 1Q2012 Discontinuation 30/Mar/2012 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1329pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJS3113P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
7
6
V GS = ? 1.7 V to ? 8 V
T J = 25 ° C
? 1.6 V
9
8
V DS ≥ 10 V
5
4
3
? 1.5 V
? 1.4 V
7
6
5
4
2
1
0
0
1
2
3
4
5
? 1.3 V
? 1.2 V
? 1.1 V
6
3
2
1
0
0
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.5 1
T J = ? 55 ° C
1.5
2
2.5
3
0.04
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.08
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
V GS = ? 4.5 V
T J = 100 ° C
0.07
0.06
T J = 25 ° C
V GS = ? 1.8 V
0.03
T J = 25 ° C
0.05
0.04
V GS = ? 2.5 V
0.03
T J = ? 55 ° C
0.02
V GS = ? 4.5 V
0.02
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0.01
1
2
3
4
5
6
7
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
1.5
1.3
1.1
I D = ? 6 A
V GS = ? 4.5 V
100000
10000
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 100 ° C
0.9
100
0.7
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
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PDF描述 |
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