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参数资料
| 型号： | NTLJS3113PTAG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN |
| 产品变化通告： | 1Q2012 Discontinuation 30/Mar/2012 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 40 毫欧 @ 3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15.7nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1329pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJS3113P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
2800
2400
C iss
V DS = V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
QT
20
16
2000
1600
3
V DS
V GS
12
1200
800
C rss
2 Q GS
Q GD
8
400
0
5
V GS
0
C oss
5
V DS
10
15
20
1
0
0
I D = ? 3.0 A
T J = 25 ° C
4 8 12
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
4
0
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and Drain ? To ? Source
Voltage versus Total Charge
1000
100
V DD = ? 15 V
I D = ? 3.0 A
V GS = ? 4.5 V
t d(off)
t f
3
2.5
2
V GS = 0 V
t r
1.5
t d(on)
10
1
0.5
T J = 150 ° C
T J = 25 ° C
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation versus Gate Resistance
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
100
See Note 2, Page 1
SINGLE PULSE
10
1
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
100 m s
1 ms
10 ms
dc
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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