- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录490 > NTLJS4149PTBG (ON Semiconductor)MOSFET P-CH 30V 4.6A SGL 6WDFN Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTLJS4149PTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 4.6A SGL 6WDFN |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 62 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 960pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 700mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-WDFN（2x2） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLJS4149P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
2400
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
QT
20
1800
C iss
4
3
V DS
V GS
16
12
1200
C rss
2
Q GS
Q GD
8
600
1
4
0
C oss
0
I D = -4.5 A
T J = 25 ° C
0
10
5
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
-V GS
-V DS
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE-TO-SOURCE OR DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
Figure 8. Gate-To-Source and Drain-To-Source
Voltage versus Total Charge
8
100
V DD = -24 V
I D = -2.0 A
V GS = -4.5 V
t d(off)
t f
7
6
5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
4
10
1
t d(on)
3
2
1
0
1
10
100
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
-V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
Variation versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTLJS4159NT1G | MOSFET N-CH 30V 3.6A 6-WFDN |
| NTLTD7900ZR2G | MOSFET PWR N-CHAN 9A 20V 8MICRO |
| NTLUD3191PZTAG | MOSFET P-CH 20V 1.7A DUAL 6UDFN |
| NTLUD3A260PZTBG | POWER MOSFET 20V 2A 200 M UDFN6 |
| NTLUF4189NZTAG | MOSFET N-CH 30V 1.2A 6UDFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTLJS4159N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:High Efficiency DC-DC Converters |
| NTLJS4159NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 2X2 30V 7.8A 35MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLLD4901NF | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Dual N-Channel Power MOSFET with Integrated Schottky |
| NTLLD4901NFTWG | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTLMS4502NR2G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。