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参数资料
| 型号： | NTLUD3A260PZTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | POWER MOSFET 20V 2A 200 M UDFN6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN（1.6x1.6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLUD3A260PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
9
T J = 25 ° C V GS = ? 4.5 V
? 4.0 V
? 3.5 V
5
V DS ≤ ? 10 V
8
7
6
5
? 3.0 V
? 2.5 V
4
3
4
3
? 2.0 V
2
T J = 25 ° C
2
1
0
0
1
2
3
? 1.8 V
? 1.5 V
4
1
0
0
T J = 125 ° C
0.5 1.0
T J = ? 55 ° C
1.5 2.0
2.5
3.0
0.80
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.500
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.70
0.60
0.50
T J = 25 ° C
I D = ? 2.0 A
0.400
0.300
? 1.8 V
? 2.5 V
T J = 25 ° C
0.40
0.30
0.20
0.200
V GS = ? 4.5 V
0.10
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
0.100
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
1.6
? V GS , GATE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
10,000
? I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
V GS = ? 4.5 V
I D = ? 2.0 A
1000
T J = 125 ° C
T J = 85 ° C
0.7
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTLUD3A50PZTBG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PFET UDFN 20V 5.6A 50MOHM - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PFET UDFN 20V 5.6A 50MOHM |
| NTLUF4189NZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, N−Channel with 0.5 A Schottky Barrier Diode, 1.6 x 1.6 x 0.55 mm Cool Package |
| NTLUF4189NZTAG | 功能描述:MOSFET NFET WDFN6 30V 1.5A 200mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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