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参数资料
| 型号： | NTLUD3A260PZTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | POWER MOSFET 20V 2A 200 M UDFN6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN（1.6x1.6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLUD3A260PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
10
10 m s
1
100 m s
0 ≤ V GS ≤ ? 8 V
0.1 SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
dc
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
160
120
80
Duty Cycle = 0.5
R q JA = 155 ° C/W
40 0.2
0.05
0.02
0.01
0.1
0
1E ? 06
1E ? 05
1E ? 04
Single Pulse
1E ? 03 1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
t, TIME (s)
Figure 14. FET Thermal Response
DEVICE ORDERING INFORMATION
Device
NTLUD3A260PZTAG
NTLUD3A260PZTBG
Package
UDFN6
(Pb ? Free)
UDFN6
(Pb ? Free)
Shipping ?
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTLUF4189NZTAG | 功能描述:MOSFET NFET WDFN6 30V 1.5A 200mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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