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参数资料
| 型号： | NTLUD3A260PZTBG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | POWER MOSFET 20V 2A 200 M UDFN6 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.2nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 300pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 800mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 6-UDFN（1.6x1.6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTLUD3A260PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
500
400
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
f = 1 MHz
5
4
Q T
12
10
300
200
C iss
3
2
Q GS
V DS
Q GD
V GS
8
6
4
100
0
0
C rss
2
C oss
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
0
0
1
2
3
V DS = ? 10 V
I D = ? 1.7 A
T J = 25 ° C
4
2
0
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
1000
100
10
V GS = ? 4.5 V
V DD = ? 10 V
I D = ? 1.5 A
t d(off)
t f
t r
t d(on)
100
10
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
1
1
10
100
1
0.2
0.4
0.6
T J = ? 55 ° C
0.8
1.0
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
0.85
0.75
0.65
0.55
0.45
0.35
0.25
I D = ? 250 m A
200
175
150
125
100
75
50
25
0.15
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
1.E ? 05
1.E ? 03
1.E ? 01
1.E+01
1.E+03
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Threshold Voltage
http://onsemi.com
4
SINGLE PULSE TIME (s)
Figure 12. Single Pulse Maximum Power
Dissipation
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTLUD3A50PZTBG | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PFET UDFN 20V 5.6A 50MOHM - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / PFET UDFN 20V 5.6A 50MOHM |
| NTLUF4189NZ | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET and Schottky Diode 30 V, N−Channel with 0.5 A Schottky Barrier Diode, 1.6 x 1.6 x 0.55 mm Cool Package |
| NTLUF4189NZTAG | 功能描述:MOSFET NFET WDFN6 30V 1.5A 200mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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