参数资料
型号: NTLUS3A90PZTBG
厂商: ON Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: POWER MOSFET 20V 3A 60 MO UDFN6
标准包装: 3,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 62 毫欧 @ 4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 12.3nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 950pF @ 10V
功率 - 最大: 600mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 6-UFDFN 裸露焊盘
供应商设备封装: 6-UDFN(1.6x1.6)
包装: 带卷 (TR)
NTLUS3A90PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
10
10 m s
100 m s
1
V GS = ? 8 V
Single Pulse
1 ms
10 ms
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
0.01
0.1
Package Limit
1
10
100
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 13. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
90
80
70
60
50
40
Duty Cycle = 0.5
R q JA = 84 ° C/W
30
20 0.2
0.05
0.02
0.01
10 0.1
0
1E ? 06
1E ? 05
1E ? 04
Single Pulse
1E ? 03 1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
t, TIME (s)
Figure 14. FET Thermal Response
DEVICE ORDERING INFORMATION
Device
NTLUS3A90PZTAG
NTLUS3A90PZTBG
Package
UDFN6
(Pb ? Free)
UDFN6
(Pb ? Free)
Shipping ?
3000 / Tape & Reel
3000 / Tape & Reel
?For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
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