参数资料
型号: NTMFS4108NT1G
厂商: ON Semiconductor
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描述: MOSFET N-CHAN 22A 30V SO-8FL
产品变化通告: Product Obsolescence 24/Jan/2011
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 13.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 2.2 毫欧 @ 21A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 54nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6000pF @ 15V
功率 - 最大: 910mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线)
供应商设备封装: 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6)
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: NTMFS4108NT1GOSCT
NTMFS4108N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
100
Duty Cycle = 0.5
10
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, time (s)
Figure 12. FET Thermal Response
http://onsemi.com
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PDF描述
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参数描述
NTMFS4108NT3G 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 40A 30V 1.8mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4119N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 30 A, Single N-Channel, SO-8 Flat Lead
NTMFS4119NT1G 功能描述:MOSFET NFET 32A 30V 2.7MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4119NT3G 功能描述:MOSFET NFET 32A 30V 2.7MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4120N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 31 A, Single N-Channel, SO-8 Flat Lead