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参数资料
| 型号： | NTMFS4121NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 17A 30V SO-8FL |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 07/Jul/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 11A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5.25 毫欧 @ 24A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 40nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2700pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMFS4121NT1GOSCT |
NTMFS4121N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
70
60
V GS = 4 V to 10 V
3.5 V
T J = 25 ° C
70
60
V DS ≥ 10 V
50
40
50
40
30
3.0 V
30
20
2.8 V
20
T J = 125 ° C
10
0
0
1
2
3
4
2.6 V
2.4 V
5
10
0
0
1
T J = 25 ° C
2
T J = ? 55 ° C
3
4
5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.009
0.008
0.007
0.006
V GS = 10 V
T J = 125 ° C
0.009
0.008
0.007
T J = 25 ° C
0.005
0.004
0.003
0.002
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.006
0.005
0.004
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.001
10
20
30
40
50
60
70
80
0.003
10
20
30
40
50
60
70
80
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.6
1.4
1.2
I D = 24 A
V GS = 10 V
100000
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1
0.8
1000
T J = 125 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4122NT1G | MOSFET N-CHAN 14A 30V SO-8FL |
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| NTMFS4707NT3G | MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8 FL |
| NTMFS4708NT3G | MOSFET N-CH 30V 7.8A SO8 FL |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4121NT3G | 功能描述:MOSFET NFET 24A 30V 4.0MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4122N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 23 A, Single N-Channel, SO-8 Flat Lead |
| NTMFS4122NT1G | 功能描述:MOSFET NFET 23A 30V 4.6MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4122NT3G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 23A .046R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4701N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 20 A, Single N-Channel, SOIC-8 Flat Lead Package |
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