参数资料
型号: NTMFS4121NT1G
厂商: ON Semiconductor
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描述: MOSFET N-CHAN 17A 30V SO-8FL
产品变化通告: Product Obsolescence 07/Jul/2010
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 11A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 5.25 毫欧 @ 24A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 40nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 2700pF @ 24V
功率 - 最大: 900mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-TDFN 裸露焊盘(5 引线)
供应商设备封装: 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6)
包装: 剪切带 (CT)
其它名称: NTMFS4121NT1GOSCT
NTMFS4121N
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
0.01
SINGLE PULSE
0.001
1E-03
1E-02
1E-01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
t, TIME (seconds)
Figure 13. Thermal Response
http://onsemi.com
5
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PDF描述
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参数描述
NTMFS4121NT3G 功能描述:MOSFET NFET 24A 30V 4.0MOH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4122N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 23 A, Single N-Channel, SO-8 Flat Lead
NTMFS4122NT1G 功能描述:MOSFET NFET 23A 30V 4.6MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4122NT3G 功能描述:MOSFET NFET 30V 23A .046R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
NTMFS4701N 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 20 A, Single N-Channel, SOIC-8 Flat Lead Package