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参数资料
| 型号： | NTMFS4122NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 14A 30V SO-8FL |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2310pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMFS4122NT1GOSCT |
NTMFS4122N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
24
22
20
18
16
14
3.3 V
V GS = 3.4 V to 10 V
T J = 25 ° C
3.2 V
3.1 V
24
22
20
18
16
14
V DS = 30 V
12
12
10
3.0 V
10
8
6
8
6
T J = 125 ° C
4
2
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
2.8 V
2.6 V
3
4
2
0
1
T J = 25 ° C
2
3
T J = ? 55 ° C
4
5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.008
0.007
V GS = 10 V
0.008
0.007
T J = 25 ° C
0.006
0.005
0.004
0.003
0.002
0.001
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.006
0.005
0.004
0.003
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
2
4
6
8
10
0.002
5
10
15
20
25
30
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.7
1.6
I D = 14 A
V GS = 10 V
10000
V GS = 0 V
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1000
T J = 150 ° C
1
0.9
0.8
0.7
100
T J = 100 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTMFS4701N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 20 A, Single N-Channel, SOIC-8 Flat Lead Package |
| NTMFS4701NT1G | 功能描述:MOSFET 30V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4701NT3G | 功能描述:MOSFET 30V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4707N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:+12 V Telecom Power Conversion Solutions |
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