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参数资料
| 型号： | NTMFS4122NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CHAN 14A 30V SO-8FL |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 9.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 14A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2310pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMFS4122NT1GOSCT |
NTMFS4122N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
3000
5
20
2500
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4
V DS
QT
16
2000
3
Q GS
Q GD
V GS
12
1500
1000
2
8
C rss
C oss
500
0
0 5 10
15 20
25
25
1
0
0
5
10 15
I D = 12 A
T J = 25 ° C
20
4
0
25
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
8
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 1 A
V GS = 4.5 V
6
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(off)
t f
t d(on)
2
t r
10
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
100
10
1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
dc
THERMAL LIMIT
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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| NTMFS4701NT3G | 功能描述:MOSFET 30V 20A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4707N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:+12 V Telecom Power Conversion Solutions |
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