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参数资料
| 型号： | NTMFS4701NT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 12.3A 30V SO8 FL |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 09/Jan/2008 |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1280pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4701N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
42
36
30
V GS = 10 V
6V
4V
3.4 V
T J = 25 ° C
3V
42
36
30
V DS ≥ 10 V
24
18
24
18
12
2.6 V
12
T J = 25 ° C
6
0
0
1
2
3
4
2.2 V
5
6
0
0
1
T J = 125 ° C
T J = ? 55 ° C
2 3
4
5
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.01
0.008
T J = 125 ° C
0.01
0.008
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0.006
0.004
0.002
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
V GS = 10 V
0.006
0.004
0.002
0
6
12
20
24
30
36
42
0
6
12
20
24
30
36
42
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
2
I D = 20 A
V GS = 10 V
100000
V GS = 0 V
1.5
1
0.5
10000
1000
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
100
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| NTMFS4707NT1G | 功能描述:MOSFET 30V 17A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4707NT3G | 功能描述:MOSFET 30V 17A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4708N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 19 A, Single N-Channel, SOIC-8 FL |
| NTMFS4708NT1G | 功能描述:MOSFET 30V 19A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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