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参数资料
| 型号： | NTMFS4701NT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 12.3A 30V SO8 FL |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 09/Jan/2008 |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 8 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1280pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4701N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2500
2000 C iss
1500
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
C iss
10
8
6
V GS
QT
1000
C rss
4 Q GS
Q GD
500
0
10
5
V GS
0
V DS
5
10
15
20
C oss
C rss
25
2
0
0
2
4
I D = 20 A
T J = 25 ° C
6 8 10 12 14 16 18 20
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
22
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? To ? Source and
Drain ? To ? Source Voltage vs. Total Charge
100
10
V DD = 15 V
I D = 1 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
t f
t d(on)
t r
10
8
6
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
2
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
100
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
280
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m s
240
I D = 7.5 A
10
100 m s
1 ms
200
1
0.1
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
10 ms
dc
160
120
80
40
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4707NT3G | MOSFET N-CH 30V 6.9A SO8 FL |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4707N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:+12 V Telecom Power Conversion Solutions |
| NTMFS4707NT1G | 功能描述:MOSFET 30V 17A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4707NT3G | 功能描述:MOSFET 30V 17A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4708N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 19 A, Single N-Channel, SOIC-8 FL |
| NTMFS4708NT1G | 功能描述:MOSFET 30V 19A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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