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参数资料
| 型号： | NTMFS4837NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 FL |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2048pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 880mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMFS4837NT1GOSCT |
NTMFS4837N
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T J = 25 ° C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
DRAIN ? SOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V SD
V GS = 0 V,
I S = 30 A
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0.85
0.72
1.2
V
Reverse Recovery Time
t RR
24
Charge Time
Discharge Time
Reverse Recovery Charge
t a
t b
Q RR
V GS = 0 V, dI S /dt = 100 A/ m s,
I S = 30 A
13
11
14
ns
nC
PACKAGE PARASITIC VALUES
Source Inductance
L S
0.93
nH
Drain Inductance
Gate Inductance
L D
L G
T A = 25 ° C
0.005
1.84
Gate Resistance
R G
2.8
W
3. Pulse Test: pulse width v 300 m s, duty cycle v 2%.
4. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
V GS = 10 V to 4.5 V
T J = 25 ° C
4V
3.8 V
3.6 V
3.4 V
3.2 V
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
V DS ≥ 10 V
T J = ? 55 ° C
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
0
0
1 2 3 4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
5
0
1
2
3 4 5 6 7
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
8
Figure 1. On ? Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
0.016
0.015
0.014
0.013
0.012
0.011
0.010
0.009
0.008
T = 25 ° C
I D = 30 A
0.01
0.009
0.008
0.007
0.006
0.005
0.004
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
V GS = 11.5 V
0.007
0.006
0.005
0.004
0.003
0.002
0.001
0.003
3.0
4.0
5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10
11 11.5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. V GS
http://onsemi.com
3
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current &
Gate Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4837NT3G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 16A 5MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4839N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 66 A, Single N−Channel, SO−8FL |
| NTMFS4839NH | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 64 A, Single N−Channel, SO−8FL |
| NTMFS4839NHT1G | 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 66A 5.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4839NHT3G | 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 66A 5.5MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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