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参数资料
| 型号： | NTMFS4837NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 FL |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2048pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 880mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMFS4837NT1GOSCT |
NTMFS4837N
1.80
1.60
I D = 30 A
V GS = 10 V & 4.5 V
100000
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1.40
1000
1.20
1.00
0.80
100
10
1
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.60
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current vs.
Voltage
3000
T J = 25 ° C
12
Q T
10
2000
C ISS
8
6
Q gd
1000
0
10
5
0
5
C OSS
C RSS
10
15
20
25
4
2
0
0
Q gs
5
10
15
20
V DD = 15.0 V
V GS = 11.5 V
I D = 30 A
T J = 25 ° C
25 30
35
V GS V DS
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source & Drain ? to ? Source
Voltage vs. Total Charge
1000
V DD = 15 V
I D = 15 A
V GS = 11.5 V
30
25
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t d(off)
t r
20
15
10
t f
10
t d(on)
5
1
1
10
100
0
0.50
0.60
0.80
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation vs.
Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4837NT3G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 16A 5MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4839N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 66 A, Single N−Channel, SO−8FL |
| NTMFS4839NH | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 64 A, Single N−Channel, SO−8FL |
| NTMFS4839NHT1G | 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 66A 5.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4839NHT3G | 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 66A 5.5MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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