- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录490 > NTMFS4837NT1G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 10A SO8 FL Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTMFS4837NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 10A SO8 FL |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 21/Jan/2010 |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2048pF @ 12V |
| 功率 - 最大： | 880mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMFS4837NT1GOSCT |
NTMFS4837N
1000
V GS = 20 V
Single Pulse
250
225
I D = 22 A
100
T C = 25 ° C
200
175
150
10
1
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
1
10
dc
10 m s
100 m s
10 ms
100 ms
100
125
100
75
50
25
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward ? Biased
Safe Operating Range
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs,
Starting Junction Temperature
100
25 ° C
100 ° C
125 ° C
10
1
1
10
100
1000
PULSE WIDTH ( m s)
Figure 13. EAS vs. Pulse Width
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS4839NT3G | MOSFET N-CH 30V 9.5A SO-8FL |
| NTMFS4841NT3G | MOSFET N-CH 30V 8.3A SO-8FL |
| NTMFS4845NT3G | MOSFET N-CH 30V 13.7A SO-8FL |
| NTMFS4846NT3G | MOSFET N-CH 30V 12.7A SO-8FL |
| NTMFS4847NAT3G | MOSFET N-CH 30V 11.5A SO-8FL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS4837NT3G | 功能描述:MOSFET NFET 30V 16A 5MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4839N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 66 A, Single N−Channel, SO−8FL |
| NTMFS4839NH | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 64 A, Single N−Channel, SO−8FL |
| NTMFS4839NHT1G | 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 66A 5.5mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4839NHT3G | 功能描述:MOSFET NFET S08FL 30V 66A 5.5MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。