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参数资料
| 型号： | NTMFS4945NT3G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.4A SO8 FL |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 24/Jan/2011 |
| 标准包装： | 5,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9 毫欧 @ 30A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1205pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 910mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS4945N
TYPICAL CHARACTERISTICS
4 V to
50
10 V
V GS = 3.8 V
3.6 V
T J = 25 ° C
50
V DS = 10 V
40
40
30
3.4 V
3.2 V
30
20
3.0 V
20
T J = 25 ° C
10
0
0
1
2
3
2.8 V
2.6 V
2.4 V
4
10
0
1
1.5
T J = 125 ° C
2
2.5
T J = ? 55 ° C
3
3.5
4
0.018
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.011
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.017
0.016
0.015
0.014
I D = 30 A
T J = 25 ° C
0.0105
0.01
0.0095
T J = 25 ° C
V GS = 4.5 V
0.013
0.012
0.009
0.0085
0.011
0.010
0.009
0.008
0.007
0.008
0.0075
0.007
0.0065
V GS = 10 V
0.006
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10
0.006
20
25
30
35
40
45
50
1.9
V GS (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. V GS
10000
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
I D = 30 A
V GS = 10 V
1000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
100
T J = 85 ° C
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
4
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTMFS4946N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 100 A, Single N−Channel, SO−8 FL |
| NTMFS4946NT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4946NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4955NT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 48A 6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS4955NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 30V 48A 6MOHM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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