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参数资料
| 型号： | NTMFS5830NLT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 28A SO-8FL |
| 标准包装： | 1,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 28A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.3 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 113nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 5880pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 3.2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TDFN 裸露焊盘（5 引线） |
| 供应商设备封装： | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMFS5830NL
TYPICAL CHARACTERISTICS
8000
7000
6000
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
Q T
5000
6
4000
3000
4
Q gs
Q gd
2000
1000
0
0
C rss
C oss
10
20
30
40
2
0
0
10
20
30 40
50
60 70
80
V DS = 32 A
I D = 60 A
T J = 25 ° C
90 100 110 120
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage vs. Total
Charge
1000
V DD = 20 V
I D = 10 A
V GS = 4.5 V
175
150
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
125
100
t r
t f
t d(off)
t d(on)
100
75
50
25
10
1
10
100
0
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
1000
100
10
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
1
V GS = 10 V
Single Pulse
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
0.01
0.1
Package Limit
1 10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMFS5832NLT1G | MOSFET N-CH 40V 110A SO-8FL |
| NTMFS5834NLT1G | MOSFET N-CH 40V 13A SO-8FL |
| NTMFS5844NLT1G | MOSFET N-CH 60V 60A SO-8FL |
| NTMS10P02R2 | MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC |
| NTMS3P03R2G | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMFS5832NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 111 A, 4.2 m |
| NTMFS5832NLT1G | 功能描述:MOSFET NFET SO8FL 40V 110A 4.2MO RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMFS5834NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 75 A, 9.3 m, Single N.Channel |
| NTMFS5834NLT1G | 功能描述:IGBT 晶体管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube |
| NTMFS5844NL | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 60 V, 61 A, 12 m, Single N.Channel |
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