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参数资料
| 型号： | NTMS4177PR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Wire Change 12/May/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 12 毫欧 @ 11.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3100pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 840mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTMS4177P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
4500
10
20
4000
3500
3000
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
9
8
7
V DS
QT
V GS
18
16
14
2500
6
5
12
10
2000
1500
1000
C oss
4
3
2
Q GS
Q GD
8
6
4
500
0
0
C rss
5 10
15
20
25
30
1
0
0
10
20 30
40
I D = -11.4 A
T J = 25 ° C
50
2
0
60
1000
DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
4
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate-To-Source and
Drain-To-Source Voltage vs. Total Charge
V DD = -15 V
I D = -1 A
V GS = -10 V
t d(off)
t f
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
t r
t d(on)
2
10
1
1
1
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
100
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
200
-V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10 m s
175
I D = -20 A
10
1
V GS = -20 V
SINGLE PULSE
100 m s
1 ms
10 ms
150
125
100
75
0.1
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
dc
50
25
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
-V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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