- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录491 > NTMS4705NR2G (ON Semiconductor)MOSFET N-CH 30V 7.4A 8SOIC Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | NTMS4705NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.4A 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1078pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 850mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMS4705NR2GOSCT |
NTMS4705N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
30
25
5V
3.8 V
3.4 V
3V
T J = 25 ° C
42
36
V DS ≥ 10 V
20
3.2 V
30
24
15
2.6 V
18
10
12
T J = 125 ° C
5
0
2.4 V
6
0
T J = 25 ° C
T J = -55 ° C
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
1
2
3
4
5
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.07
T J = 25 ° C
0.018
T J = 25 ° C
0.06
0.05
0.04
I D = 12 A
0.014
V GS = 4.5 V
0.010
0.03
V GS = 10 V
0.02
0.01
0
0.006
0.002
0
2.5
5
7.5
10
4
8
12
16
20
24
V GS , GATE-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On-Resistance vs. Gate-to-Source
Voltage
1.8
I D = 12 A
1000000
I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On-Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
V GS = 0 V
1.6
V GS = 4.5 V
1.4
10000
T J = 150 ° C
1.2
1
0.8
0.6
100
1
T J = 125 ° C
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
5
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On-Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain-to-Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMS4706NR2G | MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC |
| NTMS4800NR2G | MOSFET N-CH 30V 4.9A 8-SOIC |
| NTMS4801NR2G | MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-SOIC |
| NTMS4802NR2G | MOSFET N-CH 30V 11.1A 8-SOIC |
| NTMS4807NR2G | MOSFET N-CH 30V 9.1A 8-SOIC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMS4706N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 10.3 A, Single N−Channel, SO−8 |
| NTMS4706NR2 | 功能描述:MOSFET 30V 10.3A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4706NR2G | 功能描述:MOSFET 30V 10.3A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMS4800N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 8 A, N−Channel, SOIC−8 |
| NTMS4800NR2G | 功能描述:MOSFET 30V 8A 0.020OHM N-CH RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。