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参数资料
| 型号： | NTMS4705NR2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 7.4A 8SOIC |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 10 毫欧 @ 12A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1078pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 850mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | NTMS4705NR2GOSCT |
NTMS4705N
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
2500
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
QT
2000 C iss
4
1500
1000 C rss
C iss
3
2
Q GS
Q GD
V GS
500
C oss
1
0
C rss
0
I D = 10 A
T J = 25 ° C
10
5
0
5
10
15
20
25
0
3
6 9
12
15
V GS
V DS
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE-TO-SOURCE OR DRAIN-TO-SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
1000
18
Figure 8. Gate-To-Source and
Drain-To-Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = 15 V
I D = 12 A
V GS = 4.5 V
t r
t f
t d(off)
15
12
9
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
t d(on)
6
3
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time
Variation vs. Gate Resistance
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
V SD , SOURCE-TO-DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
I D = 10 A
0
25
50
75
100
125
150
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 11. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| NTMS4706NR2G | 功能描述:MOSFET 30V 10.3A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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