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参数资料
| 型号： | NTMSD3P303R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Apr/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 3.05A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 730mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMSD3P303R2GOS |
NTMSD3P303R2
TYPICAL MOSFET ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V GS = ? 6 V
T J = 25 ° C
V GS = ? 5 V
V GS = ? 2.6 V
6
5
4
3
2
1
V GS = ? 10 V
V GS = ? 8 V
V GS = ? 4.4 V
V GS = ? 4 V
V GS = ? 4.6 V
V GS = ? 4.8 V
V GS = ? 3.6 V
V GS = ? 2.8 V
V GS = ? 3.2 V
V GS = ? 3 V
6
5
4
3
2
1
V DS > = ? 10 V
T J = 100 ° C
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0
0
0.25
0.5
0.75
1
1.25
1.5
1.75
2
0
1
2
3
4
5
0.7
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
0.7
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I D = ? 3.05 A
T J = 25 ° C
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
I D = ? 1.5 A
T J = 25 ° C
0
3
4
5
6
7
8
0
2
3
4
5
6
7
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Gate ? to ? Source
Voltage
0.25
0.2
T J = 25 ° C
V GS = ? 4.5 V
1.6
1.4
I D = ? 3.05 A
V GS = ? 10 V
1.2
0.15
0.1
V GS = ? 10 V
1
0.8
0.05
1
2
3
4
5
6
0.6
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
? I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 5. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
http://onsemi.com
4
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 6. On Resistance Variation with
Temperature
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMSD6N303R2G | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| NTNUS3171PZT5G | MOSFET P-CH 20V 200MA SOT-1123 |
| NTP125N02RG | MOSFET N-CH 24V 15.9A TO220AB |
| NTP18N06G | MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB |
| NTP18N06LG | MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMSD6N303 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices |
| NTMSD6N303R2 | 功能描述:MOSFET 30V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMSD6N303R2G | 功能描述:MOSFET 30V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMSD6N303R2SG | 功能描述:MOSFET NFET 30V 6A .024R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTN12 | 制造商:OTAX Corporation 功能描述: |
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