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参数资料
| 型号： | NTMSD3P303R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Apr/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 3.05A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 730mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMSD3P303R2GOS |
NTMSD3P303R2
100
10
V GS = 12 V
SINGLE PULSE
T A = 25 ° C
1.0 ms
10 ms
di/dt
1.0
dc
I S
t a
t rr
t b
0.1
0.01
1
R DS(on)
THERMAL LIMIT
PACKAGE LIMIT
1.0
10
100
t p
I S
0.25 I S
TIME
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 13. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
1.0
D = 0.5
0.2
0.1
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
0.1
0.05
0.02
Chip
Junction 2.32 W
Normalized to R q JA at Steady State (1 ″ pad)
18.5 W 50.9 W 37.1 W 56.8 W
24.4 W
0.01
0.0014 F
0.0073 F
0.022 F
0.105 F
0.484 F
3.68 F
0.01
1E ? 03
Single Pulse
1E ? 02
1E ? 01
1E+00
1E+01
1E+02
Ambient
1E+03
t, TIME (s)
Figure 15. FET Thermal Response
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMSD6N303R2G | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| NTNUS3171PZT5G | MOSFET P-CH 20V 200MA SOT-1123 |
| NTP125N02RG | MOSFET N-CH 24V 15.9A TO220AB |
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| NTP18N06LG | MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMSD6N303 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices |
| NTMSD6N303R2 | 功能描述:MOSFET 30V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMSD6N303R2G | 功能描述:MOSFET 30V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMSD6N303R2SG | 功能描述:MOSFET NFET 30V 6A .024R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTN12 | 制造商:OTAX Corporation 功能描述: |
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