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参数资料
| 型号： | NTMSD3P303R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 13/Apr/2009 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2.34A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 3.05A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 25nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 750pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 730mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMSD3P303R2GOS |
NTMSD3P303R2
10000
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
1200
1000
V DS = 0 V
C iss
V GS = 0 V
1000
800
100
T J = 125 ° C
600
400
C rss
C iss
C oss
10
6
10 14 18 22 26
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
30
200
0
10
C rss
T J = 25 ° C
5 0 5 10 15 20 25
? V GS ? V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE
VOLTAGE (VOLTS)
30
Figure 7. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
Figure 8. Capacitance Variation
12
10
8
V DS
Q T
V GS
30 1000
25
20 100
V DS = ? 24 V
I D = ? 3.05 A
V GS = ? 10 V
t d(off)
6
4
Q 1
Q 2
15
10
10
t f
t d(on)
t r
2
0
0
2
4
6
8
10
I D = ? 3.05 A
T J = 25 ° C
12 14
5
0
16
1
1
10
100
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 9. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 10. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
1000
V DS = ? 24 V
I D = ? 1.5 A
V GS = ? 4.5 V
3
2.5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
2
100
t r
t f
t d(off)
t d(on)
1.5
1
0.5
0.2
10
1
10
100
0
0.4
0.6
0.8
1
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 11. Resistive Switching Time Variation
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 12. Diode Forward Voltage vs. Current
vs. Gate Resistance
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTMSD6N303R2G | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| NTNUS3171PZT5G | MOSFET P-CH 20V 200MA SOT-1123 |
| NTP125N02RG | MOSFET N-CH 24V 15.9A TO220AB |
| NTP18N06G | MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB |
| NTP18N06LG | MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMSD6N303 | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Typical Uses for FETKY Devices |
| NTMSD6N303R2 | 功能描述:MOSFET 30V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMSD6N303R2G | 功能描述:MOSFET 30V 6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTMSD6N303R2SG | 功能描述:MOSFET NFET 30V 6A .024R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTN12 | 制造商:OTAX Corporation 功能描述: |
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