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参数资料
| 型号： | NTMSD6N303R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 32 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 950pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMSD6N303R2GOS |
NTMSD6N303, NVMSD6N303
1600
1400
C iss
T J = 25 ° C
10
Q T
30
1200
1000
800
600
C rss
C iss
8
6
4
V DS
Q 1
Q 2
V GS
20
10
400
200
0
10
C oss
C rss
V DS = 0 V V GS = 0 V
5 0 5 10 15 20
V GS V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE
25
2
0
0
Q 3
2
4
I D = 6 A
T J = 25 ° C
6 8 10 12 14 16 18 20
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
0
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
100
V DD = 15 V
I D = 6 A
V GS = 10 V
t d(off)
t f
6
5
4
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t r
3
10
t d(on)
2
1
1
1
10
100
0
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
Mounted on 2 ″ sq. FR4 board (1 ″ sq. 2 oz. Cu 0.06 ″
100
thick single sided) with
one die operating, 1.0 ms
10 10 s max.
10 ms
325
300
275
250
225
200
I D = 6 A
1
0.1
V GS = 12 V dc
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
175
150
125
100
75
50
0.01
0.1
PACKAGE LIMIT
1.0
10
100
25
0
25
50
75
100
125
150
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
http://onsemi.com
5
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| NTMSD6N303R2SG | 功能描述:MOSFET NFET 30V 6A .024R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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