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参数资料
| 型号： | NTMSD6N303R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 9/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 32 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 950pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMSD6N303R2GOS |
NTMSD6N303, NVMSD6N303
TYPICAL APPLICATIONS
STEP UP SWITCHING REGULATORS
L1
+
+
V in
C O
V out
LOAD
Q1
-
+
Boost Regulator
-
+
V in
-
C O
V out
-
LOAD
Buck ? Boost Regulator
MULTIPLE BATTERY CHARGERS
Buck Regulator/Charger
+
V in
Q1
D1
L O
C O
Q2
D2
BATT #1
-
Q3
D3
BATT #2
http://onsemi.com
9
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTNUS3171PZT5G | MOSFET P-CH 20V 200MA SOT-1123 |
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| NTP18N06LG | MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB |
| NTP2955 | MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTMSD6N303R2SG | 功能描述:MOSFET NFET 30V 6A .024R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTN12 | 制造商:OTAX Corporation 功能描述: |
| NTN22 | 制造商:OTAX Corporation 功能描述:Tape & Reel |
| NTN32 | 制造商:OTAX Corporation 功能描述: |
| NTN4327A | 制造商:Dantona Industries 功能描述:NICKEL CADMIUM BATTERY, 7.5V, 1.8AH; Battery Capacity:1.8Ah; Battery Voltage:7.5V; Battery Technology:Nickel Cadmium; External Height:94.996mm; External Width:69.596mm; External Depth:35.56mm; Battery Terminals:Pressure Contact ;RoHS Compliant: NA |
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