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参数资料
| 型号： | NTMSD6N303R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 14/Apr/2010 |
| 标准包装： | 2,500 |
| 系列： | FETKY™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 32 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 30nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 950pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-SOICN |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTMSD6N303R2GOS |
NTMSD6N303, NVMSD6N303
TYPICAL SCHOTTKY ELECTRICAL CHARACTERISTICS
0.1
0.01
0.001
T J = 125 ° C
85 ° C
0.1
0.01
0.001
T J = 125 ° C
0.0001
0.00001
0.000001
25 ° C
0.0001
0.00001
0.000001
25 ° C
0
5.0
10
15
20
25
30
0
5.0
10
15
20
25
30
1000
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 17. Typical Reverse Current
5.0
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 18. Maximum Reverse Current
4.5
4.0
3.5
dc
SQUARE WAVE
FREQ = 20 kHz
100
10
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
I pk /I o = p
I pk /I o = 5.0
I pk /I o = 10
I pk /I o = 20
0
5.0
10
15
20
25
30
0
20
40
60
80
100
120
140
160
V R , REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 19. Typical Capacitance
T A , AMBIENT TEMPERATURE ( ° C)
Figure 20. Current Derating
1.75
dc
1.50
SQUARE
1.25
1.00
I pk /I o = 5.0
I pk /I o = p
WAVE
I pk /I o = 10
0.75
I pk /I o = 20
0.50
0.25
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
I O , AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
Figure 21. Forward Power Dissipation
http://onsemi.com
7
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| NTMSD6N303R2SG | 功能描述:MOSFET NFET 30V 6A .024R RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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