参数资料
型号: NTNUS3171PZT5G
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 200MA SOT-1123
标准包装: 8,000
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 150mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
输入电容 (Ciss) @ Vds: 13pF @ 15V
功率 - 最大: 125mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-1123
供应商设备封装: SOT-1123
包装: 带卷 (TR)
NTNUS3171PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
0.36
0.32
0.28
4.5 V
2.0 V
V GS = 2.2 thru 2.5 V
T J = 25 ° C
1.8 V
0.36
0.32
0.28
V DS ≥ 5 V
0.24
0.20
0.16
0.12
1.6 V
1.4 V
0.24
0.20
0.16
0.12
0.08
1.2 V
0.08
T J = 125 ° C
0.04
0
0
1
2
3
4
1.0 V
5
0.04
0
0
T J = 25 ° C
0.5
1
T J = ? 55 ° C
1.5
2
2.5
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 2. Transfer Characteristics
9.0
8.0
I D = 200 mA
T J = 25 ° C
3.5
T J = 25 ° C
7.0
6.0
5.0
4.0
3
2.5
V GS = 2.5 V
3.0
2.0
I D = 20 mA
2
V GS = 4.5 V
1.0
1
2
3
4
5
1.5
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 3. On ? Resistance vs. Gate Voltage
I D , DRAIN CURRENT (A)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Gate Voltage
1.75
1.50
I D = 200 mA
V GS = 4.5 V
10,000
V GS = 0 V
1000
1.25
1.00
0.75
100
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.50
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
10
0
5
10
15
20
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
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