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参数资料
| 型号： | NTNUS3171PZT5G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 200MA SOT-1123 |
| 标准包装： | 8,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 150mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 13pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 125mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-1123 |
| 供应商设备封装： | SOT-1123 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTNUS3171PZ
TYPICAL CHARACTERISTICS
18
1000
16
14
12
10
8
6
C iss
C oss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
100
10
t d(off)
t f
t r
t d(on)
4
2
0
0
C rss
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
1
V DD = 15 V
I D = 200 mA
V GS = 4.5 V
10
100
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 8. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 9. Diode Forward Voltage vs. Current
http://onsemi.com
4
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参数描述 |
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| NTP106M10TRA(300)F | 制造商:NIC Components Corp 功能描述:Cap Tant Solid 10uF 10V A CASE 20% (3.2 X 1.6 X 1.6mm) SMD 3216-18 0.3 Ohm 105 制造商:NIC Components Corp 功能描述:CAP 10UF 10VDC 20% 3.2 X 1.6 X 1.6MM SMD 3216-18 1% - Tape and Reel |
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