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参数资料
| 型号： | NTP125N02RG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 15.9A TO220AB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 01/Jul/2009 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3440pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.98W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTP125N02RGOS |
NTB125N02R, NTP125N02R
7000
6000
C iss
V DS = 0 V V GS = 0 V
10
5000
8.0
V GS
4000
C rss
6.0
3000
C iss
4.0
Q 1
Q T
Q 2
2000
1000
0
T J = 25 ° C
C oss
C rss
2.0
0
I D = 40 A
T J = 25 ° C
10
5
0
5
10
15
20
0
8
16
24
32
40
48
V GS
V DS
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
1000
Figure 7. Capacitance Variation
60
Figure 8. Gate?to?Source and
Drain?to?Source Voltage versus Total Charge
100
V DS = 10 V
I D = 40 A
V GS = 10 V
t r
t d(off)
t f
50
40
30
20
10
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
1
t d(on)
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
1000
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100
10
R DS(on) Limit
Thermal Limit
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
100 m s
1 ms
10 ms
dc
1.0
Package Limit
0.1
1.0
10
100
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTP1-25PL1 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:NTP1-25PL1 / 097361-0079 / Micro |
| NTP12N50 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR MOSFET |
| NTP12N50/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 12 Amps， 500 Volts |
| NTP1-2PL38 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:NTP1-2PL38 - Bulk |
| NTP1-2SL38 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:NTP1-2SL38 - Bulk |
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