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参数资料
| 型号： | NTP125N02RG |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 6/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 24V 15.9A TO220AB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 01/Jul/2009 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 15.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.6 毫欧 @ 20A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3440pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.98W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTP125N02RGOS |
NTB125N02R, NTP125N02R
PACKAGE DIMENSIONS
D 2 PAK
CASE 418AA?01
ISSUE O
C
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING
?B?
4
E
V
W
PER ANSI Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
INCHES MILLIMETERS
DIM MIN MAX MIN MAX
A
0.340 0.380
8.64 9.65
B
0.380 0.405
9.65 10.29
1
2
3
S
A
C
D
E
0.160 0.190
0.020 0.036
0.045 0.055
4.06 4.83
0.51 0.92
1.14 1.40
F
G
0.310 ???
0.100 BSC
7.87 ???
2.54 BSC
?T?
SEATING
PLANE
G
K
J
W
J
K
M
S
0.018 0.025
0.090 0.110
0.280 ???
0.575 0.625
0.46 0.64
2.29 2.79
7.11 ???
14.60 15.88
V
0.045 0.055
1.14 1.40
VARIABLE
CONFIGURATION
D 3 PL
0.13 (0.005)
M
T B
M
STYLE 2:
PIN 1.
2.
3.
4.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
ZONE
U
M
F
VIEW W?W
1
M
F
VIEW W?W
2
M
F
VIEW W?W
3
SOLDERING FOOTPRINT*
8.38
0.33
10.66
0.42
17.02
0.67
1.016
0.04
3.05
0.12
SCALE 3:1
5.08
0.20
mm
inches
*For additional information on our Pb?Free strategy and soldering
details, please download the ON Semiconductor Soldering and
Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTP18N06G | MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTP1-25PL1 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:NTP1-25PL1 / 097361-0079 / Micro |
| NTP12N50 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR MOSFET |
| NTP12N50/D | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:Power MOSFET 12 Amps， 500 Volts |
| NTP1-2PL38 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:NTP1-2PL38 - Bulk |
| NTP1-2SL38 | 制造商:ITT Interconnect Solutions 功能描述:NTP1-2SL38 - Bulk |
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