参数资料
型号: NTP30N06LG
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 6/8页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
产品变化通告: Product Obsolescence 01/Jul/2009
标准包装: 50
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 30A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 46 毫欧 @ 15A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 32nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1150pF @ 25V
功率 - 最大: 88.2W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220AB
包装: 管件
其它名称: NTP30N06LGOS
NTP30N06L, NTB30N06L
PACKAGE DIMENSIONS
TO?220
CASE 221A?09
ISSUE AA
4
B
F
T
S
C
?T?
SEATING
PLANE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
H
Q
Z
L
V
G
1 2 3
N
D
A
K
U
R
J
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
INCHES
MIN MAX
0.570 0.620
0.380 0.405
0.160 0.190
0.025 0.035
0.142 0.147
0.095 0.105
0.110 0.155
0.018 0.025
0.500 0.562
0.045 0.060
0.190 0.210
0.100 0.120
0.080 0.110
0.045 0.055
0.235 0.255
0.000 0.050
0.045 ???
??? 0.080
MILLIMETERS
MIN MAX
14.48 15.75
9.66 10.28
4.07 4.82
0.64 0.88
3.61 3.73
2.42 2.66
2.80 3.93
0.46 0.64
12.70 14.27
1.15 1.52
4.83 5.33
2.54 3.04
2.04 2.79
1.15 1.39
5.97 6.47
0.00 1.27
1.15 ???
??? 2.04
http://onsemi.com
6
STYLE 5:
PIN 1.
2.
3.
4.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
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