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参数资料
| 型号： | NTP30N20G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 30A TO220AB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 01/Jul/2009 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 30A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 81 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2335pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 214W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTP30N20GOS |
NTP30N20
60
50
V GS = 10 V
9V
6V
T J = 25 ° C
60
50
V DS ≥ 10 V
40
30
20
10
7V
8V
5V
40
30
20
10
T J = 25 ° C
0
0
2
4
6
4V
8
10
0
0
T J = 100 ° C
2
4
T J = ? 55 ° C
6
8
10
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.2
0.15
V GS = 10 V
T J = 100 ° C
0.1
0.09
0.08
T J = 25 ° C
V GS = 10 V
0.1
0.05
T J = 25 ° C
T J = ? 55 ° C
0.07
0.06
V GS = 15 V
0
5
15
25
35
45
55
0.05
5
15
25
35
45
55
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance versus Drain Current
and Temperature
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
3
2.5
I D = 15 A
V GS = 10 V
100000
10000
V GS = 0 V
T J = 175 ° C
2
1.5
1
1000
T J = 100 ° C
100
0.5
0
? 50 ? 25
0
25
50
75
100
125
150
175
10
20
40
60
80
100 120 140
160 180 200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTP335M16TRA(800)F | 制造商:NIC Components Corp 功能描述:- Tape and Reel |
| NTP335M6.3TRP(300)F | 制造商:NIC Components Corp 功能描述:CAP 3.3UF 6.3VDC 20% 2 X 1.25 X 1.1MM SMD 2012-12 1% - Tape and Reel |
| NTP336M10TRA(200)F | 制造商:NIC Components Corp 功能描述:- Tape and Reel |
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