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参数资料
| 型号： | NTP4302G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 74A TO220AB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 12/Apr/2006 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 74A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.3 毫欧 @ 37A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 80W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTP4302GOS |
NTP4302, NTB4302
70
60
7V
5V
V GS = 10 V
4.6 V
T J = 25 _ C
4.4 V
60
50
V DS ≥ 10 V
50
4V
40
40
30
3.8 V
30
T J = 25 ° C
3V
2.8 V
3.4 V
20
20
10
3.2 V
10
T J = 100 ° C
T J = ?55 ° C
0
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
2
3
4
5
6
0.08
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On?Region Characteristics
I D = 20 A
T J = 25 ° C
0.015
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
T J = 25 ° C
0.06
0.04
0.02
0
0.01
0.005
0
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
0
2
4
6
8
10
0
10
20
30
40
50
60
70
1.6
V GS , GATE?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. On?Resistance versus
Gate?to?Source Voltage
I D = 20 A
10000
I D , DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On?Resistance versus Drain Current
and Gate Voltage
V GS = 0 V
1.4
V GS = 10 V
1000
T J = 150 ° C
1.2
100
1
0.8
10
T J = 100 ° C
0.6
1
?50
?25
0
25
50
75
100
125
150
0
10
15
20
25
30
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On?Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain?to?Source Leakage Current
versus Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTP45N06LG | MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTP-4403 | 制造商:Quest Technology International Inc 功能描述: |
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| NTP45N06/D | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 45 Amps, 60 Volts |
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