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参数资料
| 型号： | NTP4302G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 74A TO220AB |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 12/Apr/2006 |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 74A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 9.3 毫欧 @ 37A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 28nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2400pF @ 24V |
| 功率 - 最大： | 80W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220AB |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | NTP4302GOS |
NTP4302, NTB4302
SAFE OPERATING AREA
1.00
D = 0.5
0.2
0.1
0.10
SINGLE PULSE
0.02
0.01
0.05
P ( pk)
t 1
t 2
DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2
R q JC (t) = r(t) R q JC
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t 1
T J(pk) ? T C = P (pk) R q JC (t)
0.01
1.0E?05
1.0E?04
1.0E?03
1.0E?02
1.0E?01
1.0E+00
1.0E+01
t, TIME (s)
Figure 13. Thermal Response
di/dt
I S
t rr
t p
t a
t b
0.25 I S
TIME
I S
Figure 14. Diode Reverse Recovery Waveform
ORDERING INFORMATION
NTP4302
NTP4302G
NTB4302
NTB4302G
NTB4302T4
NTB4302T4G
Device
Package
TO?220AB
TO?220AB
(Pb?Free)
D 2 PAK
D 2 PAK
(Pb?Free)
D 2 PAK
D 2 PAK
Shipping ?
50 Units / Rail
50 Units / Rail
50 Units / Rail
50 Units / Rail
800 / Tape & Reel
800 / Tape & Reel
(Pb?Free)
?For information on tape and reel specifications,including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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