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参数资料
| 型号： | NTQD6866R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 4.7A 8TSSOP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 32 毫欧 @ 6.9A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 22nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1400pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 940mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTQD6866R2GOS |
NTQD6866R2
2500
2000
1500
1000
500
C iss
C rss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
C iss
C oss
C rss
T J = 25 ° C
5
4
3
2
1
Q 1
Q 2
Q T
V GS
I D = 5.8 A
T J = 25 ° C
0
10
5
V GS 0 V DS
5
10
15
20
0
0
2
4
6
8
10
12
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE
(VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage
versus Total Charge
1000
100
V DD = 16 V
I D = 5.8 A
V GS = 4.5 V
t f
t r
10
8
6
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(off)
4
10
t d(on)
2
1
1
10
100
0
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus Current
10
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
100 m s
1 ms
di/dt
1
10 ms
I S
t a
t rr
t b
0.1
0.01
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
1
10
dc
100
t p
I S
0.25 I S
TIME
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| NTQD6968N | 功能描述:MOSFET 20V 7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTQD6968NR2 | 功能描述:MOSFET 20V 7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTQD6968NR2G | 功能描述:MOSFET 20V 7A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTQD6968R2 | 功能描述:MOSFET PWR N-CH 6.6A 20V 8TSSOP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
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