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参数资料
| 型号： | NTQD6968N |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 03/Apr/2007 |
| 标准包装： | 100 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 22 毫欧 @ 7A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 630pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 1.39W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 管件 |
NTQD6968N
3000
2500
C iss
V DS = 0 V
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
5
4
Q T
V GS
2000
3
1500
1000
C rss
2 Q 1
Q 2
C iss
500
C rss
C oss
1
I D = 7.0 A
T J = 25 ° C
0
0
10 5 0 5 10 15 20
V GS V DS
GATE?TO?SOURCE OR DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
0
2.5
5 7.5 10
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
12.5
1000
Figure 7. Capacitance Variation
1.4
Figure 8. Gate?to?Source Voltage
versus Total Charge
V DD = 16 V
I D = 7.0 A
V GS = 4.5 V
1.2
1
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
100
10
t f
t d(off)
t r
t d(on)
0.8
0.6
0.4
0.2
1
1
10
100
0
0.5
0.525
0.55
0.575
0.6
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
V SD , SOURCE?TO?DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
100
V GS = 20 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
10
100 m s
1 ms
di/dt
1
10 ms
I S
t rr
t a
t b
0.1
R DS(on) Limit
Thermal Limit
dc
t p
0.25 I S
TIME
0.01
Package Limit
I S
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN?TO?SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Figure 12. Diode Reverse Recovery Waveform
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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