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参数资料
| 型号： | NTR2101PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-23-3 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 8V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 3.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 52 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1173pF @ 4V |
| 功率 - 最大： | 960mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTR2101PT1GOSDKR |
NTR2101P
TYPICAL CHARACTERISTICS
1000
100
10
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.1
0.000001
SINGLE PULSE
0.00001 0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t, PULSE TIME (s)
Figure 12. Thermal Response
http://onsemi.com
5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTR2101PT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:MOSFET |
| NTR2101PT1G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:NTR Series P-Channel 8 V 39 mOhm 0.96 W SMT Small Signal MOSFET - SOT-23 |
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| NTR25A1000DTRF | 制造商:NIC Components Corp 功能描述:RES THNFLM 2010 100 OHM 0.05% 1/4W 50PPM/ C SMD - Tape and Reel |
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