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参数资料
| 型号： | NTR3161NT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 3.3A SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 Product Obsolescence 24/Jan/2011 Product Obsolescence 01/Jul/2009 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 3.3A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 7.3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 540pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 820mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
NTR3161N
1000
900
800
700
600
500
400
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
Q GS
Q GD
Q T
V GS
300
1.5
200
100
0
0
C oss
C rss
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1.0
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
T J = 25 ° C
I D = 3.3 A
7
8
1000
DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
4
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total
Charge
100
V DD = 10 V
I D = 3.3 A
V GS = 4.5 V
t d(off)
t f
3
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
2
t r
10
t d(on)
1
1
1
10
100
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
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PDF描述 |
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