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参数资料
| 型号： | NTR4101PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-23-3 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 675pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 420mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTR4101PT1GOSDKR |
NTR4101P, NTRV4101P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
10
8
V GS = ? 10 V ? ? 2.4 V
? 2.2 V
T J = 25 ° C
10
9
8
T J = ? 55 ° C
25 ° C
125 ° C
7
6
4
? 2.0 V
? 1.8 V
6
5
4
2
.
? 1.6 V
3
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
1
0
0
1
2
3
4
V DS ≥ 20 V
5
6
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. On ? Region Characteristics
? V GS , GATE ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 2. Transfer Characteristics
0.1
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
V GS = ? 5.0 V
T = 125 ° C
T = 25 ° C
T = ? 55 ° C
0.15
0.14
0.13
0.12
0.11
0.10
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
T J = 25 ° C
V GS = ? 2.5 V
V GS = ? 4.5 V
0.02
0.01
0
1
3
5
7
9
0.03
0.02
0.01
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 3. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
100000
? I D, DRAIN CURRENT (AMPS)
Figure 4. On ? Resistance vs. Drain Current and
Temperature
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
I D = ? 1.6 A
10000
1000
100
10
V GS = 0 V
T J = 150 ° C
T J = 125 ° C
0.4
? 50
? 25
0
25
50
75
100
125
150
1.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 5. On ? Resistance Variation with
Temperature
http://onsemi.com
3
? V DS, DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 6. Drain ? to ? Source Leakage Current
vs. Voltage
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTR4170NT3G | MOSFET N-CH 30V 3.2A SGL SOT23-3 |
| NTR4171PT3G | MOSFET P-CH 30V 2.2A SOT23-3 |
| NTR4501NT1 | MOSFET N-CHAN 3.2A 20V SOT-23 |
| NTR4502PT1G | MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23 |
| NTR4503NT3G | MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTR4101PT1G-CUT TAPE | 制造商:ON 功能描述:NTR Series P-Channel 20 V 70 mOhm 0.73 W SMT Trench Power MOSFET - SOT-23 |
| NTR4101PT1H | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR4170N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 3.2 A, Single N−Channel, SOT−23 |
| NTR4170NT1G | 功能描述:MOSFET NFET SOT23 30V 4A TR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR4170NT3G | 功能描述:MOSFET NFET SOT23 30V 4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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