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参数资料
| 型号： | NTR4101PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-23-3 Pkg |
| 标准包装： | 10 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 85 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 675pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 420mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTR4101PT1GOSDKR |
NTR4101P, NTRV4101P
TYPICAL PERFORMANCE CURVES (T J = 25 ° C unless otherwise noted)
1000
800
V GS = 0 V
C iss
T J = 25 ° C
4.0
3.5
3.0
QT
600
2.5
2.0
V DS
Q gs
Q gd
V GS
400
1.5
200
0
0
2
4
C oss
C rss
6
8
10
12
14
16
18
20
1.0
0.5
0
0
2
4
I D = ? 1.6 A
T J = 25 ° C
6
8
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and Drain ? to ? Source
Voltage vs. Total Gate Charge
1000
100
V DD = ? 10 V
I D = ? 1.6 A
V GS = ? 4.5 V
5
4.5
4
3.5
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
3
2.5
10
t d(off)
t f
t r
t d(on)
2
1.5
1
0.5
1
1
10
100
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
R G , GATE RESISTANCE (OHMS)
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
100
V GS ≤ 10 V
Single Pulse
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10
1
0.1
0.01
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
Package Limit
dc
10 m s
100 m s
1 ms
10 ms
0.01
0.1
1
10
100
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
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