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参数资料
| 型号： | NTR4502PT1G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT-23 |
| 产品变化通告： | Wire Change for SOT23 Pkg 26/May/2009 |
| 产品目录绘图： | MOSFET SOT-23-3 Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1.95A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 200pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 400mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装： | SOT-23-3（TO-236） |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1558 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | NTR4502PT1GOSDKR |
NTR4502P, NVTR4502P
500
400
300
200
100
0
V DS = 0 V
C ISS
C RSS
C RSS
V GS = 0 V
C OSS
C ISS
T J = 25 ° C
10
5
0
5
10
15
20
25
30
? V GS
? V DS
GATE ? TO ? SOURCE OR DRAIN ? TO ? SOURCE
VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
12
10
8
6
4
Q GS
Q GD
Q T
18
15
12
9
6
2
0
I D = ? 1.95 A
T J = 25 ° C
3
0
0
1
2
3
4
5
6
7
Q G , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
100
3
V DS = ? 15 V
I D = ? 1.95 V
V GS = ? 10 V
2.5
T J = 25 ° C
10
t d(off)
t r
t f
2
1.5
t d(on)
1
0.5
1
1
10
100
0
0.3
0.6
0.9
1.2
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
http://onsemi.com
4
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NTR4503NT3G | MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT-23 |
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| NTS4101PT1 | MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| NTR4502PT3 | 功能描述:MOSFET -30V -1.95A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR4502PT3G | 功能描述:MOSFET -30V -1.95A P-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| NTR4503N | 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 30 V, 2.5 A, Single N−Channel, SOT−23 |
| NTR4503NST1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:NFET SOT23 30V 2.5A 140MO - Tape and Reel 制造商:ON Semiconductor 功能描述:REEL / NFET SOT23 30V 2.5A 140MO |
| NTR4503NT1 | 功能描述:MOSFET 30V 2.5A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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