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参数资料
| 型号： | NTTD1P02R2G |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CHAN DUAL 20V 8MICRO |
| 产品变化通告： | Product Obsolescence 06/Oct/2006 |
| 标准包装： | 4,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.45A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 160 毫欧 @ 1.45A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 265pF @ 16V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro8? |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | NTTD1P02R2GOS |
NTTD1P02R2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T C = 25 ° C unless otherwise noted) (N ote 4)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Drain ? to ? Source Breakdown Voltage
(V GS = 0 Vdc, I D = ? 250 m Adc)
Temperature Coefficient (Positive)
Zero Gate Voltage Drain Current
(V GS = 0 Vdc, V DS = ? 20 Vdc, T J = 25 ° C)
(V GS = 0 Vdc, V DS = ? 20 Vdc, T J = 125 ° C)
Gate ? Body Leakage Current
(V GS = ? 8 Vdc, V DS = 0 Vdc)
Gate ? Body Leakage Current
(V GS = +8 Vdc, V DS = 0 Vdc)
V (BR)DSS
I DSS
I GSS
I GSS
? 20
?
?
?
?
?
?
? 12
?
?
?
?
?
?
? 1.0
? 10
? 100
100
Vdc
mV/ ° C
m Adc
nAdc
nAdc
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage
(V DS = V GS , I D = ? 250 m Adc)
Temperature Coefficient (Negative)
Static Drain ? to ? Source On ? State Resistance
(V GS = ? 4.5 Vdc, I D = ? 1.45 Adc)
(V GS = ? 2.7 Vdc, I D = ? 0.7 Adc)
(V GS = ? 2.5 Vdc, I D = ? 0.7 Adc)
Forward Transconductance (V DS = ? 10 Vdc, I D = ? 0.7 Adc)
V GS(th)
R DS(on)
g FS
? 0.7
?
?
?
?
?
? 0.95
2.3
0.130
0.175
0.190
2.5
? 1.4
?
0.160
0.250
?
?
Vdc
W
Mhos
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
C iss
?
265
?
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
(V DS = ? 16 Vdc, V GS = 0 Vdc,
f = 1.0 MHz)
C oss
C rss
?
?
100
60
?
?
SWITCHING CHARACTERISTICS (Notes 5 & 6)
Turn ? On Delay Time
t d(on)
?
10
?
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
(V DD = ? 16 Vdc, I D = ? 1.45 Adc,
V GS = ? 4.5 Vdc, R G = 6.0 W )
t r
t d(off)
t f
?
?
?
25
30
25
?
?
?
Turn ? On Delay Time
t d(on)
?
10
?
ns
Rise Time
Turn ? Off Delay Time
Fall Time
(V DD = ? 16 Vdc, I D = ? 0.7 Adc,
V GS = ? 4.5 Vdc, R G = 6.0 W )
t r
t d(off)
t f
?
?
?
20
30
20
?
?
?
Total Gate Charge
Gate ? Source Charge
Gate ? Drain Charge
(V DS = ? 16 Vdc,
V GS = ? 4.5 Vdc,
I D = ? 1.45 Adc)
Q tot
Q gs
Q gd
?
?
?
5.0
1.5
2.0
10
?
?
nC
BODY ? DRAIN DIODE RATINGS (Note 5)
Diode Forward On ? Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Stored Charge
(I S = ? 1.45 Adc, V GS = 0 Vdc)
(I S = ? 1.45 Adc, V GS = 0 Vdc,
T J = 125 ° C)
(I S = ? 1.45 Adc, V GS = 0 Vdc,
dI S /dt = 100 A/ m s)
V SD
t rr
t a
t b
Q RR
?
?
?
?
?
?
? 0.91
? 0.72
25
13
12
0.015
? 1.1
?
?
?
?
?
Vdc
ns
m C
4. Handling precautions to protect against electrostatic discharge are mandatory.
5. Indicates Pulse Test: Pulse Width = 300 m s max, Duty Cycle = 2%.
6. Switching characteristics are independent of operating junction temperature.
http://onsemi.com
2
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